[IB토마토 윤아름 기자]
삼성전자(005930)가 차세대 트랜지스터 ‘GAA(Gate All Around)’ 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품을 출하한다. 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부다. 삼성전자는 향후 파운드리를 미래 성장동력으로 삼고 투자를 지속하고, 글로벌 업체와 경쟁을 지속하겠단 계획이다.
25일 삼성전자는 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.
삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다. 삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.
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왼쪽부터 삼성전자 경계현 대표이사, 산업통상자원부 이창양 장관, 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장(사진=삼성전자)
삼성전자는 대만 TSMC 등 글로벌 반도체 기업들과 경쟁하겠다는 계획이다. 삼성전자와 TSMC는 글로벌 반도체 1위 자리를 두고 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 유진투자증권은 삼성전자의 올해 반도체 부문 매출을 115조3000억원, TSMC는 2조4692억대만달러(약 109조2000억원)로 각각 전망했다.
하지만 아직까지 파운드리 영역에선 TSMC를 넘어서지 못했다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 세계 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 49.5%로 삼성전자(16.3%)의 세 배 이상이다. 삼성전자는 GAA 기술을 적용한 3㎚ 반도체를 양산해 TSMC와 차별화한다는 전략이다.
삼성전자는 이날 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 출하식을 개최하고, 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다. 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업을 기반으로 기술·개발 한계를 극복했다는 설명이다.
경계현 삼성전자 DS부문장은 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”라며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과가 될 것”이라고 말했다.
정부의 전폭적인 지지도 약속받았다. 이창양 산업통상자원부 장관은 “지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 말했다.
윤아름 기자 arumi@etomato.com